Intel将在VLSI Symposium上介绍PowerVia技术成果

　　在 2021 年 7 月举行的“英特尔加速：工艺和封装技术在线会议”上，英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 公布了一系列基础技术创新，并表示 RibbonFET 和 PowerVia 等突破性技术将预示埃时代的到来。

　　RibbonFET是 Gate All Around 晶体管的一种实现，将成为英特尔自 2011 年推出 FinFET 以来的首个新型晶体管架构。该技术可加快晶体管开关速度，同时获得类似于多鳍结构的驱动电流，尽管体积更小脚印。PowerVia 是英特尔的一项独特创新，是业界第一个背面供电网络，它通过消除晶圆正面的电源布线需求来优化信号传输。

　　英特尔宣布它将在下周的 VLSI 研讨会上发表一篇关于 PowerVia 技术成就的新论文。英特尔坚持认为，测试结果表明 PowerVia 技术拥有业界领先的性能。

　　Intel 认为，借助这种新颖的 PowerVia 电源技术，他们在芯片制造领域取得了革命性的突破，将颠覆整个行业。英特尔计划于2024年上半年发布的20A制程中，将引入PowerVia技术，解决微缩领域不断升级的互连瓶颈，将供电转移至晶圆背面，实现输电利用率90%以上，其中其他福利。

　　正如英特尔概述的那样，开发团队创建了用于测试的名为“Blue Sky Creek”的芯片，基于流星湖中使用的 E-Core。结果表明，PowerVia 解决了以前制造方法中固有的两个问题，提供了卓越的电力传输和信号布线，以及超过 5% 的频率提升。

　　明年，消费者将通过采用英特尔 20A 工艺制造的 Arrow Lake 处理器体验 PowerVia 的诸多优势，展现出英特尔历史上前所未有的效率。英特尔断言，PowerVia 技术的出现使其在背面电源方面比竞争对手领先大约两年。