传骁龙8 Gen 4采用台积电N3E工艺制造

 　　近期关于高通骁龙 8 Gen 3 的传言层出不穷，例如引入新内核以及大小内核配置发生变化等。然而，由于芯片组继续采用台积电的 4nm 工艺，并且没有采用注入 NUVIA 技术的定制内核，因此明年即将推出的骁龙 8 系列 SoC 引起了更大的兴趣。

　　根据 Twitter 用户@Tech_Reve的说法，Snapdragon 8 Gen 4 将采用台积电的 N3E 工艺制造，这是 3nm 技术的第二次迭代，与当前工艺相比，该工艺可提供显着的多核性能改进。此外，高通将推出基于 NUVIA 技术的定制内核，避开之前基于 Arm 的设计。骁龙8 Gen 4的CPU有望采用2+6架构，2个“Nuvia Phoenix”性能核心搭配6个“Nuvia Phoenix M”高能效核心。

　　报告显示，在新工艺和新内核的支持下，第四代骁龙8的性能将有高达40%的大幅提升。基于这样的改进，加上第三代骁龙8泄露的数据，第四代骁龙8在Geekbench 5的多线程基准测试中有可能超过9000分，甚至超过苹果的M2芯片。

　　除了专为智能手机设计的第四代骁龙 8，高通还将发布面向超薄移动设备的第四代骁龙 8cx，采用基于 NUVIA 技术的定制内核。此前有报道称，高通新发布的 Oryon 处理器将被命名为第四代骁龙 8cx，代号为“Hamoa”，目前正在进行测试。