AMD推出未来芯片设计

 　　ISSCC 2023将于2023年2月19日至23日在美国旧金山举行，行业巨头AMD也现身大会，其主题演讲详述了如何提高数据中心的能效并设法跟上摩尔定律，即使半导体工艺节点进步的步伐已经放缓。据Planet3DNow.de称，AMD 对服务器处理器和 HPC 加速器最引人注目的预测是多层堆叠 DRAM。

　　一段时间以来，AMD 已经开始制造具有堆叠式 HBM 的逻辑产品，例如 GPU。这些是多芯片模块 (MCM)，其中逻辑芯片和 HBM 堆栈位于硅中介层之上。虽然与独立的 DRAM 芯片/模块相比，这种方法节省了 PCB 空间，但它在基板上的效率非常低，而且内插器本质上是一个硅芯片，芯片之间堆叠在其顶部的布线非常细小。

　　AMD 设想在不久的将来，高密度服务器处理器将在逻辑芯片之上堆叠多层 DRAM。这种堆叠方法节省了 PCB 和基板上的空间，使芯片设计人员能够在每个插槽中塞入更多内核和 DRAM。

　　AMD 还看到了内存计算的更大作用，简单的计算和数据移动功能可以直接在内存中执行，从而消除了往返处理器的往返行程。AMD 还谈到了封装光学 PHY 的可能性，这将简化网络基础设施。

　　AMD在2021年表示，未来属于模块化设计与匹配、协同封装。随着硅通孔(TSV)的增加，AMD未来将专注于更复杂的3D堆叠技术，例如核心堆叠核心、IP堆叠IP，甚至宏块都可以3D堆叠。最终，TSV 的间距将非常小，以至于模块拆分、折叠甚至电路拆分都将成为可能，从而彻底改变当今对处理器的看法。