近日,台积电(TSMC)在IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上透露,其1.4nm制程节点的开发正在全面进行中,进展顺利。此外,台积电再次强调其承诺,即到 2 年实现下一代 2025nm 工艺节点的量产。
根据Tom's Hardware的一份报告,这标志着台积电首次公开披露其1.4nm工艺节点,正式命名为“A14”。A14工艺大规模生产的具体细节和时间表尚不清楚。根据台积电的时间表,N2工艺计划于2025年底量产,N2P工艺将于2026年底量产。可以合理推测,A14进程可能会在2027年至2028年之间启动。

虽然台积电正在探索下一代堆叠CFET晶体管技术,但A14工艺不太可能利用它。相反,它可能依赖于第二代或第三代全栅极 FET (GAAFET) 晶体管技术,类似于 N2 工艺。台积电是否会在A14制程中实施High-NA EUV光刻机也不确定。新设备的引入可能会给芯片设计人员和制造商带来新的挑战。N2 和 A14 等尖端半导体工艺需要系统级协同优化才能真正有效并将性能、能效和功能提升到新的高度。
去年,三星在“2022 年三星晶圆代工论坛”上公布了其未来技术路线图,宣布其 SF1.4(1.4nm 级)工艺预计将于 2027 年量产。纳米片的数量计划从三个增加到四个,这可能会显着提高性能和电源效率。从时序角度来看,台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺大致同步。
关于三星采取降价策略以确保2nm细分市场订单的传闻广泛流传,台积电董事长刘马克评论说,“客户仍然优先考虑技术质量”,这表明对下一代工艺充满信心。
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