Tokyo Electron 开发出可堆叠超过 400 层的新型 3D NAND 闪存

　　东京电子 (TEL)宣布在其等离子体蚀刻系统现场开发和制造的创新通孔蚀刻技术的出现，旨在堆叠超过 400 层的先进3D NAND闪存。开发团队首次在低温条件下引入介电蚀刻，从而协调具有极高蚀刻速率的系统。

　　这种前卫的技术不仅在短短 33 分钟内完成了 10 微米深的高深宽比蚀刻，减少了时间因素，而且还产生了明显的几何蚀刻结构，这可能有助于生产更高容量的 3D NAND 闪存存储芯片。

　　Tokyo Electron 提供了附带的蚀刻后图像，展示了他们的劳动成果。其中包括显示蚀刻后通孔图案的 SEM 横截面图像、孔底部的 FIB 切割图像以及 Tokyo Electron 的 3D NAND 闪存芯片的外壳。

　　Tokyo Electron 还发布公告称，负责开发该技术的团队将在 2023 年 6 月 11 日至 16 日在京都举行的 VLSI 技术和电路研讨会上展示他们的最新研究成果。这一享有盛誉的聚会是最受关注的聚会之一著名的国际半导体研究会议。借此机会，东京电子将展示其对半导体技术创新和全球环境的贡献。

　　今年是 Tokyo Electron 成立 60 周年，该公司将此视为转型的关键点，以迎接未来的挑战并继续为社会进步做出贡献。