Rambus预计年底前GDDR6量产速度更快

　　去年，三星开始提供业界首款 16Gb (2GB) GDDR6 内存模块，拥有 24 Gbps 的速度。这些模块采用三星的 10 纳米级 1z 工艺技术制造，包括创新电路设计、高级绝缘材料 (HKMG) 和极紫外 (EUV) 技术。它们配备动态电压调节 (DVS) 技术，可根据性能要求调整工作电压，将电源效率提高 20%。他们的目标是增强下一代显卡、笔记本电脑和游戏机的图形性能。他们还在基于人工智能的应用程序和高性能计算 (HPC) 系统中找到应用程序。

　　根据 Twitter 用户Hassan Mujtaba的报告, Rambus 预计更快的 GDDR6 将在今年年底投入生产，达到 24 Gbps 的速度。

　　从历史上看，与 GDDR6 相比，GDDR6X 一直拥有更高的速度。美光去年开始量产24Gbps GDDR6X，模组容量为16Gb。目前GeForce RTX 4080使用的GDDR6X显存为MT61K512M32KPA-24。额定速度本身应为 24 Gbps，但设置为 22.4 Gbps。

　　随着GDDR6的速度也达到24Gbps，AMD或将收获利益，可能出现在Radeon RX 7×50系列中。随着 GDDR6 速度迎头赶上，Nvidia 是否会在其产品中更广泛地采用它仍不确定。不过，美光表示，GDDR6X 内部 PAM4 信号传输技术的创新使其比其他 GDDR6 产品更节能。

　　与三星和美光相比，SK 海力士似乎将重点放在了 HBM 级内存芯片上，目前仅提供速度为 20 Gbps 的 GDDR6。