台积电推出其 CFET 晶体管技术

　　在最近于比利时安特卫普举行的 ITF World 2023 上，英特尔概述了几个关键领域的最新发展，其中包括即将采用的堆叠式 CFET 晶体管架构。作为当前半导体制造技术的领导者，台积电还在2023年欧洲技术研讨会上阐述了其具有前瞻性的GAAFET和CFET晶体管技术。

　　根据AnandTech, 台积电透露其CFET晶体管已进入实验室阶段，正在进行性能、效率和密度测试。与 GAAFET 相比，这些方面有望带来更多优势。然而，CFET 的实现需要额外的制造步骤以确保芯片按预期运行。CFET 晶体管涉及将 n 和 p MOS 器件堆叠在一起，需要使用高精度、高功率的高 NA EUV 光刻技术进行制造。

　　台积电从事各种晶体管设计类型的研究，以及需要大量时间的研究项目，而 CFET 技术有可能成为未来最有可能的候选者之一。但目前还不能说已经超越Nanosheet，CFET晶体管需要在制程中融入新材料，导致相应制程节点的投资较大。唯一可以确定的是，台积电将从2nm工艺开始引入GAAFET晶体管技术。

　　台积电使用 FinFET 晶体管已有十年，经历了五代技术的发展。按照先例，GAAFET 晶体管也应该跨越多代产品，而 CFET 晶体管的量产之路仍然遥遥无期。