SK海力士DRAM工厂因high-k材料问题停工

 　　SK海力士去年宣布成功研发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存，采用1αnm工艺制造，并开始推向市场。SK海力士去年宣布成功研发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存，采用1αnm工艺制造，并开始推向市场。

　　据The Elec报道，此次DRAM生产事故的原因是SK Trichem提供的锆(Zr)高k材料含有杂质，导致SK海力士DRAM工厂部分生产设备停止运转。SK海力士表示，此次事故并未造成生产损失，因为立即安排了清洁等措施进行处理。

　　SK海力士表示，正在对SK ​​Trichem造成的设备生产中断和零部件更换进行必要的审查，将根据合同条款要求SK海力士进行赔偿。目前，SK海力士已暂停向SK Trichem采购材料，直至问题解决。

　　为配合未来生产，SK海力士所需的high-k材料暂时由UP Chemical和M Chemical供应。

　　SK Trichem表示，事故原因是其提供的高k材料纯度存在问题，导致部分设备压力升高，导致停产。high-k材料属于前体材料，沉积在DRAM电容的原子级。由于电容直接决定了DRAM的性能，因此high-k材料的质量就显得非常重要。目前，SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月底恢复对SK海力士的供货，提供符合质量要求的产品。