三星将使用 BSPDN 打造 2nm

 　　三星将使用 BSPDN 打造 2nm 芯片三星在3nm工艺上推出了全新的GAAFET全环绕栅晶体管架构，并已成功量产。根据三星公布的半导体工艺路线图，计划2025年开始量产2nm工艺，而更先进的1.4nm工艺有望在2027年量产。

　　据The Elec报道，三星计划在 2nm 芯片上使用一种名为“BSPDN”(背面供电网络)的技术。三星研究员Park Byung-jae在SEDEX 2022上介绍了BSPDN的相关情况，表示该技术已经从过去的high-k金属栅平面型转变为FinFET，再到MBCFET，再到BSPDN。相信很多人都非常熟悉FinFET。以前叫3D晶体管，是10nm级工艺的关键技术，现在三星转向了GAAFET。

　　未来，借助小芯片设计方案，同一工艺不再适用于单个芯片，而是可以将不同代工厂的不同工艺制造的各种芯片模块连接起来，也称为3D-SOC。BSPDN可以理解为chiplet设计的进化，结合了逻辑电路和内存模块。与现有解决方案不同，正面将具有逻辑功能，而背面将用于电源或信号路由。

　　其实BSPDN并不是第一次。它在 2019 年 IMEC 研讨会上作为概念提出，并在 2021 年 IEDM 论文中被引用。据称，BSPDN在2nm工艺中的应用，通过后端互连设计和逻辑优化，可以解决FSPDN带来的前端布线阻塞，性能提升44%，电源效率提升30%。