在 NOR 和 NAND 闪存之间进行选择 – 需要考虑什么？

　　闪存是现代电子产品中的一项基本技术，有两种主要形式：NOR 和 NAND。每种类型都有不同的特点，用户对NOR与NAND非常感兴趣。在一键还原的这篇文章中，您将找到它们的定义、差异、优点和缺点。

　　Flash Memory概述

　　闪存是一种非易失性存储器，这意味着即使在没有通电的情况下，它也能保留数据。它广泛用于各种设备，从 USB 驱动器和存储卡到智能手机和固态驱动器 (SSD)。闪存单元由浮栅晶体管制成，浮栅晶体管存储电荷以表示数据。

　　NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失性闪存技术。NAND 和 NOR 闪存基于互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，利用一系列晶体管以电子方式存储和检索数据。这些晶体管充当开关，并利用逻辑门的原理来有效地存储和检索信息。

　　什么是 NOR 闪存?

　　NOR闪存是Intel于1988年推出的，因其逻辑结构而得名，在数字逻辑上类似于NOR门。NOR 是一种非易失性存储技术，这意味着它不需要电源来存储数据。在 NOR 闪存中，每个单元都与位线并联，从而允许直接访问每个单元。这种架构支持随机访问，这意味着任何字节的数据都可以独立读取。

　　NOR 闪存的主要特性包括：

　　• 随机存取：NOR 闪存的架构允许真正的随机存取，使其适用于代码存储和执行。这就是为什么 NOR 闪存经常用于嵌入式系统的原因，在这些系统中，快速访问固件和软件代码至关重要。

　　• 快速读取速度：由于其随机访问特性，NOR 闪存提供快速读取速度，有利于直接从闪存执行代码。

　　但是，它有一些缺点：

　　• 对于电池供电的设备来说，写入和擦除操作期间的高功耗可能是一个缺点。

　　• 在写入数据之前，必须先执行擦除操作。NOR 闪存要求在擦除之前将目标块中的所有位写入 0。这使得它不太适合需要频繁更新数据的应用程序。

　　什么是NAND闪存?

　　东芝于1989年推出的NAND闪存因其结构类似于NAND门而得名。在NAND闪存中，单元串联在一起，形成一串。这种串行连接可实现更高的存储密度和更低的每比特成本。NAND闪存中的数据以页为单位访问，通常从512字节到16 KB不等。

　　NAND闪存的主要特性包括：

　　• 高密度和低成本：与 NOR 闪存相比，NAND 闪存提供更高的存储密度和更低的每比特成本。这使其成为需要大存储容量的应用程序的理想选择，例如 SSD、USB 驱动器和内存卡。

　　• 快速的写入和擦除速度：NAND闪存具有快速的写入和擦除速度，使其适用于数据频繁更新的数据存储应用。

　　• 电源效率：与 NOR 闪存相比，NAND 闪存在写入和擦除操作期间通常消耗的功率更少，使其成为电池供电设备的更好选择。

　　但是，它仍然有一些限制。

　　• NAND闪存的架构不支持真正的随机访问。数据必须分页读取，访问单个字节可能会更慢、更复杂。此限制使其不太适合代码执行。

　　• 管理 NAND 闪存需要更复杂的算法和控制器来处理磨损均衡、坏块管理和纠错。

　　NOR与NAND及其应用

　　NOR与NAND的性能受多种因素影响。

　　访问和传输速度

　　NOR闪存提供快速的读取速度，可以直接访问任何字节，而NAND闪存以顺序方式读取数据，需要访问整个页面，并且具有较慢的随机访问读取速度。

　　但是，NAND闪存在写入和擦除操作方面表现良好。NOR 闪存的每个单元都必须单独寻址，因此写入和擦除操作速度较慢。

　　耐力

　　NOR 闪存通常比 NAND 闪存具有更高的耐久性，这意味着它可以在失败之前承受更多的擦除/写入周期。这是因为 NOR 闪存使用单个存储单元来存储数据，而 NAND 闪存在多个页面上共享存储单元。这意味着 NAND 闪存中的每个单元都比 NOR 闪存更容易磨损。

　　功耗

　　NAND闪存在写入和擦除操作期间通常消耗较少的功率，因为数据在较大的块中进行管理。而 NOR 闪存在写入和擦除操作期间会消耗更多功率，因为每个单元都是单独寻址的。

　　成本和密度

　　由于其复杂的架构和较低的存储密度，NOR 闪存按比特计算的成本更高。并行架构导致存储密度降低，使得 NOR 闪存不太适合高容量存储需求。