SK海力士1bnm DDR5 DRAM开始验证

　　SK 海力士宣布完成现有DRAM中最先进的1bnm(第五代10nm级)技术研究，并为其采用该技术的DDR5服务器DRAM启动“英特尔数据中心认证内存计划”。这代表了英特尔第四代可扩展平台(代号Sapphire Rapids)采用的内存产品兼容性的正式认证流程。

　　SK海力士提供的DDR5 DRAM产品以6.4Gbps的速度运行，是同类产品中最高的速度，与最初的原型相比，数据处理速度提高了33%。产品采用高 K 金属栅极 (HKMG) 技术，与基于 1αnm(第四代 10nm 级)技术的产品相比，功耗降低了 20%。

　　SK海力士表示，1bnm制程技术的研发成功意味着向全球客户提供兼具高性能与卓越能效的DRAM产品。SK海力士力争在今年开始量产最先进的1bnm制程技术产品，意欲在下半年以业界最高的DRAM竞争水平提升其业绩。此外，SK 海力士计划将 1bnm 工艺技术扩展到 LPDDR5T 和 HBM3E 等高性能产品。

　　近期，SK海力士的财务状况堪忧。上个月披露的2023财年第一季度财务报告显示，由于半导体存储器市场持续低迷，加上需求疲软和产品价格下跌，季度收入减少，运营亏损严重。为提高营业收入，SK海力士决定重点销售DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD和uMCP产品。