三星 12nm 节点 16Gb DDR5 DRAM 进入量产

　　三星最新的 DRAM 将优化下一代计算，包括人工智能应用，具有更高的能效和生产力

　　三星电子是先进内存技术的全球领导者，今天宣布其采用业界最先进的 12 纳米 (nm) 级工艺技术的 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM 已开始量产。三星完成了最先进的制造工艺，再次证明了其在尖端 DRAM 技术方面的领导地位。

　　“使用差异化工艺技术，三星业界领先的 12 纳米级 DDR5 DRAM 可提供出色的性能和能效。我们最新的 DRAM 反映了我们对引领 DRAM 市场的持续承诺，不仅通过满足计算市场对大规模处理的需求的高性能和大容量产品，而且还通过商业化支持更高生产力的下一代解决方案。”

　　——三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 说。

　　与上一代产品相比，三星全新的 12 纳米级 DDR5 DRAM 可将功耗降低多达 23%，同时将晶圆产能提高多达 20%。其出色的能效使其成为希望降低其服务器和数据中心的能源消耗和碳足迹的全球 IT 公司的理想解决方案。

　　由于使用了有助于增加电池电容的新型高 κ 材料，三星得以开发 12 纳米级工艺技术。高电容导致数据信号中存在显着的电势差，这使得更容易准确地区分它们。该公司在降低工作电压和降低噪音方面所做的努力也有助于提供客户需要的最佳解决方案。

　　拥有每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的最高速度——转化为可以在大约一秒钟内处理两部 30GB 超高清电影的速度——三星的 12 纳米级 DDR5 DRAM 系列将支持越来越多的应用程序，包括数据中心、人工智能和下一代计算。

　　三星于去年 12 月完成了与 AMD 兼容性的 16Gb DDR5 DRAM 评估，并继续与全球 IT 公司合作，推动下一代 DRAM 市场的创新。