美光宣布量产 232 层 QLC NAND 闪存

　　美光宣布开始量产其 232 层 QLC NAND 闪存，该闪存已经开始在部分关键 SSD 中出货。除了消费类客户端产品外，公司还将为企业存储客户和OEM厂商提供相应的产品，如美光2500 NVMe SSD。

　　美光表示，这款新型四电平单元NAND闪存是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度。与以前的NAND技术相比，这项创新提高了存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光的 232 层 QLC NAND 闪存通过利用关键功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储应用提供无与伦比的性能，包括：

　　• 全球比特密度最高的 OEM 生产的 NAND 闪存，比上一代 176 层 QLC NAND 提高了 30%。

　　• 业界领先的比特密度，超越了竞争对手的最新产品，实现了紧凑的结构，提高了 28%。

　　• 业界最快的NAND闪存I/O接口速度，达到2400 MT/s，比上一代产品提高了50%。

　　• 与上一代 176 层 QLC NAND 相比，读取性能提高了 24%，写入性能提高了 31%。

　　存储解决方案和定制企业级 SSD 制造商 Pure Storage 总经理 Bill Cerreta 表示，美光的 232 层 QLC NAND 闪存对于其高容量 DirectFlash 模块至关重要。随着美光的进步，Pure Storage 有望实现到 2028 年取代数据中心所有机械硬盘的目标。