SK海力士成功研发最大容量24GB HBM3 DRAM产品

　　SK 海力士宣布全球首创12颗单片DRAM芯片垂直堆叠，成功开发出最大容量24GB HBM3 DRAM产品，并通过客户企业性能验证。SK 海力士声称这一里程碑代表了高性能 DRAM 的又一次飞跃，超越了 HBM3 的技术界限。

　　去年 6 月，SK 海力士成为业界第一家量产 HBM3 DRAM，用于 NVIDIA 的 H100 计算卡。NVIDIA从SK海力士采购了带宽为819GB/s的HBM3 DRAM，符合当年早些时候JEDEC发布的HBM3高带宽内存标准。SK 海力士现在将 HBM​​3 DRAM 的容量提高了 50%，提供 24GB 的产品套件。

　　随着人工智能聊天机器人行业的发展，SK海力士预计高端内存需求将激增，并决定在今年下半年将新的HBM3 DRAM推向市场以满足市场需求。SK海力士已向合作伙伴提供24GB HBM3 DRAM样品，客户对产品寄予厚望。

　　SK海力士技术团队在新品中采用了先进的MR-MUF3和TSV4技术，通过先进的MR-MUF技术提升工艺效率和产品性能稳定性，同时利用TSV技术垂直堆叠12颗单片DRAM芯片，比现有芯片薄40%，达到与16GB产品相同的高度。

　　HBM DRAM 是实现需要高性能计算的生成 AI 的基本存储器半导体产品。第一代 HBM DRAM 于 2013 年首次亮相。最新的 HBM3 DRAM 规格被认为是快速处理海量数据的首选产品，大型科技公司的需求不断扩大。