美光推出 HBM3 Gen2：24GB 容量，超过 1.2TB/s 带宽

　　美光宣布推出业界领先的HBM3 Gen2，带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2GB/s，8层垂直堆叠24GB。这比当前流通的 HBM3 解决方案增强了 50%。

　　美光声称 HBM3 Gen2 产品的每瓦性能比是前几代产品的 2.5 倍，为 AI 数据中心的性能、容量和功效等关键参数设定了新标准。这一开发可以减少 GPT-4 等大型语言模型的训练时间，并提供出色的总体拥有成本 (TCO)。美光 HBM3 Gen2 解决方案的核心是其 1β (1-beta) 工艺，在行业标准封装尺寸内形成 24GB DRAM 芯片的 8 层垂直堆叠立方体。

　　而且，美光还准备了12层垂直堆叠单36GB DRAM芯片。与现有竞争对手的解决方案相比，美光科技的产品在给定堆叠高度下将容量提高了 50%。美光科技的技术进步提高了能源效率。硅通孔 (TSV) 技术增加了一倍，金属密度增加了五倍，降低了热阻并引入了节能数据路径设计。

　　根据美光最新的技术路线图，2026年的“HBMNext”将进一步将容量提升至36GB-64GB，并将带宽从1.5TB/s提升至2+TB/s以上。此外，美光明年还将推出GDDR7，容量从16Gb到24Gb不等，数据I/O接口速率为32Gbps，与三星最近发布的首款GDDR7相当。