SK 海力士宣布第 8 代 3D NAND 闪存

 　　近日，在ISSCC 2023大会上，SK海力士公布了其在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK 海力士指出，由 35 名工程师组成的团队为所提供的材料做出了贡献，推出了一种新颖的 3D NAND 闪存原型，其堆栈层数超过 300。

　　据TechPowerUp报道，这款来自 SK Hynix 的第 8 代 3D NAND 闪存具有 1 Tb (128 GB) 容量、三级单元 (TLC) 和超过 20 Gb/mm^2 的位密度。该芯片拥有 16 KB 页大小、四个平面、2400 MT/s 的接口传输速度和 194 MB/s 的峰值吞吐量，比第七代 238 层 3D NAND 闪存提高了 18%。增加的密度将降低制造过程中每 Tb 的成本，最终通过增强的性能和容量使消费者受益。

　　据 SK 海力士介绍，第 8 代 3D NAND 闪存的开发采用了五项关键技术，包括引入三重验证程序 (TPGM) 功能，缩小电池阈值电压分布，将 tPROG 降低 10%，以及随后提高性能。自适应未选定字符串预充电 (AUSP) 是另一种将 tPROG 降低约 2% 的方法。此外，编程虚拟字符串 (PDS) 技术可最大限度地减少通道电容负载，从而加快 tPROG 和 tR 字线建立时间。平面级读取重试 (PLRR) 功能可在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，立即发出后续读取命令并最终提高服务质量 (QoS) 和读取性能。

　　SK 海力士尚未提供其第八代 3D NAND 闪存的发布时间表，但业内人士估计，它可能要到 2024 年末或 2025 年某个时候才能上市。与此同时，SK 海力士的第七代 238 层3D NAND 闪存有望融入 2023 年推出的新闪存产品的生产周期。